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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 36-Pin PIM Tray

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NXH003P120M3F2PTHG

Discrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 3 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module ? EliteSiC, 3 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package

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1+	400.91 EUR
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NXH003P120M3F2PTHG

Description: ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 979W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1195nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)

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NXH003P120M3F2PTNG

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.48kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)

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NXH003P120M3F2PTNG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 435A 36-Pin PIM Tray

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NXH003P120M3F2PTNG

Discrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 3 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 3 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package

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10+	396.58 EUR
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NXH004P120M3F2PTHG

Description: ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 785W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 284A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)

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NXH004P120M3F2PTHG

Silicon Carbide Module -Elite SIC, 4mohm SIC M3 MOSFET

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NXH004P120M3F2PTHG

Discrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package

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10+	305.8 EUR
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NXH004P120M3F2PTNG

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1+	352.69 EUR
10+	330.32 EUR
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NXH004P120M3F2PTNG

NXH004P120M3F2PTNG

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NXH006P120M3F2PTHG

Silicon Carbide Module MOSFET

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NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

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NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

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20+	326.12 EUR

Mindestbestellmenge: 20

22uF 6.3V X5R 20% 0805 (CL21A226MQQNNNE)
Produktcode: 201505

IC > IC andere

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NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

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NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

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NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

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2+	546.13 EUR
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NXH006P120MNF2PTG

Description: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV

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NXH006P120MNF2PTG

Discrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 6 mohm SiC MOSFET, 1200 V, Half Bridge 2-PACK, F2 Package

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10+	477.93 EUR
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NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

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17+	379.1 EUR

Mindestbestellmenge: 17

NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

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NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A Automotive 36-Pin PIM Tray

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NXH007F120M3F2PTHG

SiliconCarbide Module MOSFET

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NXH008T120M3F2PTHG

Discrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 8 mohm, 1200V, M3S, TNPC Topology, F2 Package

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10+	293.25 EUR

NXH010P120MNF1PG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive

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NXH010P120MNF1PG

Description: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
Part Status: Active

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NXH010P120MNF1PG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM

auf Bestellung 28 Stücke:

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1+	257.84 EUR
10+	241.49 EUR
28+	233.75 EUR

NXH010P120MNF1PNG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	260.32 EUR
10+	243.8 EUR
28+	235.98 EUR

NXH010P120MNF1PNG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive

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NXH010P120MNF1PNG

Description: SIC 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	262.1 EUR
10+	251.03 EUR
28+	245.49 EUR

NXH010P120MNF1PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM

auf Bestellung 56 Stücke:

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1+	257.84 EUR
10+	241.49 EUR
28+	233.75 EUR

NXH010P120MNF1PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive Tray

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NXH010P120MNF1PTG

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NXH010P120MNF1PTNG

Description: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
Part Status: Active

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NXH010P120MNF1PTNG

Discrete Semiconductor Modules SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material, Nickel Plated

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NXH010P120MNF1PTNG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A

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NXH010P90MNF1PG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 507-511 Tag (e)

1+	216.41 EUR
10+	188.25 EUR

NXH010P90MNF1PG

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 154A Automotive

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NXH010P90MNF1PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 154A Automotive Tray

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NXH010P90MNF1PTG

Description: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOH
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
Part Status: Active

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NXH010P90MNF1PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 895-899 Tag (e)

1+	264.25 EUR
10+	247.49 EUR
28+	239.54 EUR

NXH011T120M3F2PTHG

Description: 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODUL
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Solar Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 70A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 306nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 40mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	230.86 EUR

NXH011T120M3F2PTHG

Discrete Semiconductor Modules Silicon Carbide (SiC) Module - 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, TNPC Topology in F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module ? 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, TNPC Topology in F2 Package

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	252 EUR
10+	239.01 EUR
20+	232.5 EUR
100+	216.23 EUR
260+	211.38 EUR

NXH020F120MNF1PG

Discrete Semiconductor Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET

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NXH020F120MNF1PG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A

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NXH020F120MNF1PG

Description: SIC 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)

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NXH020F120MNF1PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray

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NXH020F120MNF1PTG

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NXH020F120MNF1PTG

Discrete Semiconductor Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 87-91 Tag (e)

1+	263.77 EUR
10+	247.03 EUR

NXH020P120MNF1PG

Discrete Semiconductor Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 87-91 Tag (e)

1+	185.4 EUR
10+	169.26 EUR

NXH020P120MNF1PG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A

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NXH020P120MNF1PG

Description: SIC 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA

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NXH020P120MNF1PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray

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NXH020P120MNF1PTG

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NXH020P120MNF1PTG

Discrete Semiconductor Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET with TIM

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 87-91 Tag (e)

1+	185.4 EUR
10+	169.26 EUR
28+	161.48 EUR
56+	157.92 EUR
112+	154 EUR

NXH020U90MNF2PTG

SiC Modules, Vienna Module SiC MOSFET

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NXH020U90MNF2PTG

Description: SIC 2N-CH 900V 149A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 352W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

NXH020U90MNF2PTG

Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Mechanical mounting: screw

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NXH020U90MNF2PTG

Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH020U90MNF2PTG

Discrete Semiconductor Modules SiC Modules, Vienna Module 900V, 2 x 10 mohm SiC MOSFET, 1200V, 2 x 100A, F2 Package

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	336.67 EUR
10+	315.32 EUR
20+	305.2 EUR

NXH020U90MNF2PTG

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NXH027B120MNF2PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F2 FULL SIC BOOST 1200V 27MOHM TIM PRESS-FIT PINS

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NXH027B120MNF2PTG

Description: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

NXH027B120MNF2PTG

Description: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

NXH040F120MNF1PG

onsemi PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM

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NXH040F120MNF1PG

NXH040F120MNF1PG

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NXH040F120MNF1PG

Description: SIC 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)

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NXH040F120MNF1PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 1150-1154 Tag (e)

1+	185.4 EUR
10+	169.26 EUR
28+	161.48 EUR
56+	157.92 EUR
112+	154 EUR

NXH040F120MNF1PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Tray

Produkt ist nicht verfügbar

NXH040F120MNF1PTG

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NXH040P120MNF1PG

Description: SIC 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA

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NXH040P120MNF1PG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 511-515 Tag (e)

1+	134.15 EUR
10+	122.48 EUR
28+	116.85 EUR

NXH040P120MNF1PG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive

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NXH040P120MNF1PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 1228-1232 Tag (e)

1+	134.15 EUR
10+	122.48 EUR
28+	116.85 EUR

NXH040P120MNF1PTG

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NXH100B120H3Q0PG

Description: PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	139.53 EUR
24+	127.39 EUR

NXH100B120H3Q0PG

Description: ONSEMI - NXH100B120H3Q0PG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 61A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH100B120H3Q0PTG

IGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	137.86 EUR
10+	132.26 EUR
24+	122.39 EUR
48+	116.71 EUR

NXH100B120H3Q0PTG

Description: IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V

auf Bestellung 262 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	139.53 EUR
24+	127.39 EUR
48+	121.54 EUR
96+	115.24 EUR

NXH100B120H3Q0SG

Description: PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	139.53 EUR

NXH100B120H3Q0SG

Description: ONSEMI - NXH100B120H3Q0SG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 61A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH100B120H3Q0STG

Description: IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V

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NXH100B120H3Q0STG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 186000mW Tray

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NXH100B120H3Q0STG

IGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins, TIM

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 87-91 Tag (e)

1+	140.5 EUR
10+	128.27 EUR
24+	122.39 EUR
48+	119.68 EUR
120+	116.71 EUR

NXH1010-WB

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NXH1010UK/S3,518

935287739518

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NXH1031UK/A4BZ

935307661043

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NXH1501UK/A3Z

935304943012

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NXH1501UK/A4Z

935307902012

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NXH1501UK/A5Z

935351916012

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NXH16.000AC12F

07+

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NXH16.000AC12F

07+

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NXH160T120L2Q1SG

Q1PACK Module

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NXH160T120L2Q1SG

IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A Solder pins

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NXH160T120L2Q1SG

Description: PIM Q1 SPLIT T-TYPE NPC 160A 120
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 30-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38164 pF @ 25 V

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	150.3 EUR

NXH160T120L2Q2F2S1G

Description: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 181 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38.8 nF @ 25 V

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	245.75 EUR
12+	227.49 EUR
36+	219.18 EUR

NXH160T120L2Q2F2S1G

Power IGBT Module Transistor

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NXH160T120L2Q2F2S1G

IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	244.06 EUR
10+	225.95 EUR
25+	225.9 EUR
36+	217.69 EUR

NXH160T120L2Q2F2SG

Description: POWER INTEGRATED MODULE (PIM), I
Packaging: Bulk

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	219.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3

NXH160T120L2Q2F2SG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 181A 500mW 56-Pin Case 180AK Tray

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NXH160T120L2Q2F2SG

IGBT Modules PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

NXH160T120L2Q2F2SG

Description: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete

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NXH160T120L2Q2F2SG

Description: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	216.76 EUR

NXH1900UK/B3Z

935350897012

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NXH2003UK/C1AZ

High Performance RF IC

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NXH200B100H4F2SG

IGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	239.11 EUR
10+	221.36 EUR
20+	213.29 EUR
60+	207.98 EUR

NXH200B100H4F2SG

Description: ONSEMI - NXH200B100H4F2SG - IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH200B100H4F2SG

Description: 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.523 nF @ 20 V

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	237.46 EUR

NXH200B100H4F2SG-R

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NXH200B100H4F2SG-R

IGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	306.8 EUR
10+	287.34 EUR
20+	278.12 EUR

NXH200T120H3Q2F2SG

Si SiC Hybrid Module, Split T Type NPC, IGBT 1200 V, 200 A and 650 V, 150 A. SiC Diode 650 V, 75 A. Solder pins

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NXH200T120H3Q2F2SG

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pins

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NXH200T120H3Q2F2SG

Description: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	335.76 EUR
12+	314.48 EUR
36+	302.65 EUR

NXH200T120H3Q2F2STG

Description: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE (
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V

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NXH200T120H3Q2F2STG

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pin and Thermal Interface Material

Produkt ist nicht verfügbar

NXH200T120H3Q2F2STNG

Description: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V

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NXH2180UK,518

Description: MI-RADIO TRANSCEIVER WITH FLASH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 254838 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	27.27 EUR

Mindestbestellmenge: 19

NXH2261UK/A1BSCZ

Description: NXH2261UK - NFMI RADIO FOR WIREL
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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NXH2261UK/A1BSCZ

High Performance Communication IC

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NXH2265UK/A0BSCZ

NFMI Radio 40-Pin WLCSP T/R

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NXH2265UK/A0BSCZ

NXP Semiconductors NXH2265UK/WLCSP40//A0BSC/REEL 7 Q1 DP CHIPS

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NXH2280DK

NXH2280DK

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NXH2280DKR,598

NxH2280 Demokit

Produkt ist nicht verfügbar

NXH2280DKRUL

BL SECURE INTERFACES & POWER

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NXH2280UK

High Performance RF IC

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NXH2280UK/C1012

Description: NXH2280UK - Power Distribution S
Packaging: Bulk

auf Bestellung 78000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	16.41 EUR

Mindestbestellmenge: 30

NXH2280UK/C1Z

NXH2280UK/C1Z

Produkt ist nicht verfügbar

NXH2280UK/C1Z

Description: NXH2280 - NFMI RADIO FOR WIRELES
Packaging: Bulk

auf Bestellung 78000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	16.41 EUR

Mindestbestellmenge: 30

NXH2281SDKUL

BL SECURE INTERFACES & POWER

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NXH24.000AC12F

07+

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NXH24.000AC12F

07+

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NXH240B120H3Q1P1G

IGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PIN

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	187.99 EUR
10+	174.01 EUR
21+	167.68 EUR
42+	163.52 EUR

NXH240B120H3Q1PG

Description: PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	249.52 EUR
21+	233.7 EUR
42+	224.91 EUR

NXH240B120H3Q1PG

IGBT Modules Power Integrated Module (PIM) 3-channel 1200 V IGBT + SiC Boost, 80 A IGBT and 20 A SiC diode Press-fit pins

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NXH240B120H3Q1PG-R

IGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	234.61 EUR
10+	217.17 EUR
21+	209.25 EUR
42+	204.04 EUR

NXH240B120H3Q1PG-R

Description: PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V

auf Bestellung 4536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	236.23 EUR
21+	218.66 EUR
42+	210.68 EUR

NXH240B120H3Q1S1G

IGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN

Produkt ist nicht verfügbar

NXH240B120H3Q1S1G-R

Description: 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19.082 nF @ 20 V

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	239.25 EUR
21+	221.48 EUR

NXH240B120H3Q1S1G-R

IGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	210.95 EUR

NXH25.000AC20F-BT-3

auf Bestellung 65342 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NXH25C120L2C2SG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 20mW 26-Pin DIP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

NXH25C120L2C2SG

Description: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH25C120L2C2SG

Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	120.49 EUR

NXH25C120L2C2SG

IGBT Modules TMPIM 1200V 25A CIB

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	114.1 EUR
12+	105.99 EUR
252+	105.41 EUR
504+	104.83 EUR

NXH25T120L2Q1PG

IGBT Transistor Module

Produkt ist nicht verfügbar

NXH25T120L2Q1PG

Description: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH25T120L2Q1PG

IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 25 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins

Produkt ist nicht verfügbar

NXH25T120L2Q1PTG

IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 25 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins, pre-applied thermal interface material (TIM)

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 136-140 Tag (e)

1+	122.27 EUR
10+	110.81 EUR
21+	106.97 EUR

NXH25T120L2Q1PTG

Produkt ist nicht verfügbar

NXH27.000AG10F-BK6

auf Bestellung 65397 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NXH300B100H4Q2F2PG

Description: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH300B100H4Q2F2PG

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel flying capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 1290-1294 Tag (e)

1+	336.56 EUR

NXH300B100H4Q2F2S1G

Description: PIM 1500V 250KW Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH300B100H4Q2F2S1G

IGBT Modules PIM 1500V 250KW Q2BOOST

Produkt ist nicht verfügbar

NXH300B100H4Q2F2SG

Description: ONSEMI - NXH300B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 73A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 194W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 73A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH300B100H4Q2F2SG

Description: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	321.48 EUR
12+	301.11 EUR
36+	289.79 EUR

NXH300B100H4Q2F2SG-R

Description: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	416.36 EUR
12+	389.96 EUR
36+	375.3 EUR

NXH350N100H4Q2F2P1G

Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH350N100H4Q2F2P1G

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	348.8 EUR
10+	326.55 EUR
25+	326.18 EUR
36+	316.2 EUR

NXH350N100H4Q2F2P1G

Description: IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	351.21 EUR
12+	328.96 EUR
36+	316.59 EUR

NXH350N100H4Q2F2P1G-R

IGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET

Produkt ist nicht verfügbar

NXH350N100H4Q2F2P1G-R

Description: GEN1.5 1500V MASS MARKET
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	466.28 EUR
12+	436.72 EUR
36+	420.3 EUR

NXH350N100H4Q2F2PG

Description: IC MODULE PIM 350A 1000V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH350N100H4Q2F2S1G

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Solder pins

Produkt ist nicht verfügbar

NXH350N100H4Q2F2S1G

Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH350N100H4Q2F2S1G

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	403.08 EUR
12+	377.52 EUR
36+	363.33 EUR

NXH350N100H4Q2F2S1G-R

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	480.02 EUR
12+	449.6 EUR
36+	432.7 EUR

NXH350N100H4Q2F2S1G-R

IGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET

Produkt ist nicht verfügbar

NXH350N100H4Q2F2SG

Produkt ist nicht verfügbar

NXH35C120L2C2ESG

Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH35C120L2C2ESG

IGBT Modules TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	139.06 EUR
12+	122.46 EUR
102+	115.4 EUR
252+	114.72 EUR
504+	114.35 EUR

NXH35C120L2C2ESG

Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.333 nF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH35C120L2C2ESG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 20mW 26-Pin DIP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

NXH35C120L2C2S1G

IGBT Modules TMPIM 1200V 35A CI

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	132.11 EUR
12+	119.72 EUR
30+	106.3 EUR

NXH35C120L2C2SG

Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH35C120L2C2SG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 20mW 26-Pin DIP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

NXH35C120L2C2SG

IGBT Modules TMPIM 1200V 35A CIB

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	157.68 EUR
12+	154.33 EUR
54+	153.95 EUR
102+	151.54 EUR
252+	150.96 EUR
2502+	150.94 EUR

NXH35C120L2C2SG

Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	154.44 EUR

Mindestbestellmenge: 4

NXH35C120L2C2SG

Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH3670ADK

Bluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670ADK

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	954.08 EUR

NXH3670ADK

Description: NXH3670ADK
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

NXH3670ADK

Ultra-low power 2.4 GHz Bluetooth Low Energy transceiver for audio streaming

Produkt ist nicht verfügbar

NXH3670SDKUL

Bluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670SDK 12NC: 935351521598

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	1964.53 EUR

NXH3670SDKUL

Description: NXH3670SDK

Produkt ist nicht verfügbar

NXH3670UK/A1Z

Description: IC MCU BLE HEADPHONE AUDIO WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I²S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1395 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.49 EUR
10+	18.77 EUR
25+	17.06 EUR
100+	15.36 EUR
250+	14.08 EUR
500+	12.8 EUR
1000+	11.52 EUR

NXH3670UK/A1Z

RF Microcontrollers - MCU NXH3670UK/A1

auf Bestellung 696 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16 EUR
10+	14.45 EUR
25+	12.58 EUR
100+	11.81 EUR
250+	11.28 EUR
500+	10.7 EUR
1000+	10.63 EUR

NXH3670UK/A1Z

NXP

Description: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 128KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Übertragungsstrom: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
MCU-Core-Größe: 32bit
Betriebstemperatur, min.: -20°C
RAM-Speichergröße: 96KB
Übertragungsrate: 2Mbps
Anwendungsbereiche MCU: Bluetooth Low Energy-Transceiver
ADC-Kanäle: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.402GHz
MCU-Familie: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: NXH3670
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
Embedded-Schnittstelle: I2S, SPI, UART
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Datenbusbreite: 32bit
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Bauform - MCU: WLCSP
Schnittstellen: I2S, SPI, UART
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
ADC-Auflösung: -
CPU-Geschwindigkeit: 32MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
Frequenz, max.: 2.48GHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: 3A991.a.2
Empfangsstrom: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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NXH3670UK/A1Z

High Bluetooth IC

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NXH3670UK/A1Z

Description: IC MCU BLE HEADPHONE AUDIO WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I²S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

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NXH3670UK/A1Z

NXP

Description: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.a.2
Frequenz, min.: 2.402GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Übertragungsrate: 2Mbps
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH3675UK/A1Z

NXH3675UK/A1Z

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NXH3675UK/A1Z

Description: NXH3675UK
Packaging: Tape & Reel (TR)

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NXH3675UK/A1Z

Audio DSPs NXH3675UK/A1

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NXH3675UK/A2Z

Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)

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NXH3675UK/A2Z

RF System on a Chip - SoC NXH3675UK/A2

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NXH40.000AF20F-BK3

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NXH400B100H4Q2F2PG

Description: N06NF Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V

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NXH400B100H4Q2F2SG

onsemi N06NF Q2BOOST#1

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NXH400B100H4Q2F2SG

Description: N06NF Q2BOOST#1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V

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NXH400N100H4Q2F2PG

Description: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	518.28 EUR
12+	485.43 EUR

NXH400N100H4Q2F2PG

Trans IGBT Module N-CH 1000V 409A/409A/360A/360A 959W 42-Pin PIM Tray

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NXH400N100H4Q2F2PG

IGBT Modules SiC Hybrid Module, I-Type NPC 1000 V, 400 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode Press-fit pins

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	514.78 EUR
10+	482.13 EUR
25+	466.65 EUR

NXH400N100H4Q2F2SG

IGBT Modules SiC Hybrid Module, I-Type NPC 1000 V, 400 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode Solder pins

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	503.32 EUR
10+	471.4 EUR
25+	456.24 EUR

NXH400N100H4Q2F2SG

Description: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 409A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 68 Stücke:

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NXH400N100H4Q2F2SG

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1+	506.74 EUR
12+	474.63 EUR
36+	456.79 EUR

NXH400N100H4Q2F2SG-R

auf Bestellung 36 Stücke:

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1+	583.14 EUR
12+	546.17 EUR

NXH400N100H4Q2F2SG-R

IGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	579.18 EUR
10+	542.47 EUR
25+	525.01 EUR

NXH400N100L4Q2F2SG

IGBT Modules I-Type NPC 1000 V, 200 A IGBT, 1000 V, 75 A Diode Solder Pin

auf Bestellung 36 Stücke:

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1+	347.07 EUR
10+	325.07 EUR
25+	314.6 EUR

NXH400N100L4Q2F2SG

Description: ESS 200KW PIM SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 48-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 360 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 980 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.06 nF @ 20 V

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	349.43 EUR

NXH40B120MNQ0SNG

Discrete Semiconductor Modules 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 636-640 Tag (e)

1+	158.42 EUR

NXH40B120MNQ0SNG

Description: 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 118 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 20 V

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NXH40B120MNQ1SNG

Description: 30KW Q1BOOST FULL SIC
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
Power - Max: 156 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 800 V

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	264.25 EUR
21+	247.51 EUR

NXH40B120MNQ1SNG

Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH40B120MNQ1SNG

Discrete Semiconductor Modules Full SiC MOSFET Module EliteSiC Three Channel Full SiC Boost, 1200 V, 40 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 40 A SiC Diode Nickel-plated DBC

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	268.88 EUR
10+	251.82 EUR
21+	243.72 EUR

NXH40T120L3Q1PG

IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 40 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins

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NXH40T120L3Q1PG

Description: IGBT MOD 3TNPC Q1PACK 1200V/40
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA

Produkt ist nicht verfügbar

NXH40T120L3Q1PTG

Description: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 40A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.753 nF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH40T120L3Q1PTG

IGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 40A 1200V PRESS-FIT PINS TIM

Produkt ist nicht verfügbar

NXH40T120L3Q1SG

IGBT Modules SUNGROW 20KW Q1PACK

Produkt ist nicht verfügbar

NXH40T120L3Q1SG

Description: ONSEMI - NXH40T120L3Q1SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 42A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 146W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: NXH40T120L3Q1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 42A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH40T120L3Q1SG

Description: IGBT MODULE SUNGROW 20KW Q1PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA

Produkt ist nicht verfügbar

NXH450B100H4Q2F2PG

Si SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Press fit pins

Produkt ist nicht verfügbar

NXH450B100H4Q2F2PG

Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 101A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 144 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH450B100H4Q2F2PG

Description: 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	353.37 EUR
12+	330.98 EUR

NXH450B100H4Q2F2PG

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Press-fit pins

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	350.98 EUR
10+	328.73 EUR
25+	318.16 EUR

NXH450B100H4Q2F2PG-R

IGBT Modules 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 115-119 Tag (e)

1+	443.71 EUR
10+	415.61 EUR
25+	402.23 EUR

NXH450B100H4Q2F2PG-R

Description: 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	446.78 EUR
12+	418.45 EUR
36+	402.72 EUR

NXH450B100H4Q2F2SG

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Solder pins

Produkt ist nicht verfügbar

NXH450B100H4Q2F2SG

Produkt ist nicht verfügbar

NXH450B100H4Q2F2SG

Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 101
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 234
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 101
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

NXH450N65L4Q2F2PG

Description: 650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 36-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	201.59 EUR
10+	186.61 EUR
36+	179.8 EUR

NXH450N65L4Q2F2PG

NXH450N65L4Q2F2PG

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NXH450N65L4Q2F2S1G

NXH450N65L4Q2F2S1G

Produkt ist nicht verfügbar

NXH450N65L4Q2F2S1G

Description: 120KW 1100V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	216.76 EUR
12+	200.66 EUR

NXH450N65L4Q2F2SG

Description: 136KW 650V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH450N65L4Q2F2SG

IGBT Modules 136KW 650V Q2PACK

Produkt ist nicht verfügbar

NXH450N65L4Q2F2SG

3-Level NPC Inverter IGBT Module

Produkt ist nicht verfügbar

NXH450N65L4Q2F2SG

3-Level NPC Inverter IGBT Module

Produkt ist nicht verfügbar

NXH50C120L2C2ES1G

IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CI

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	176.65 EUR
12+	151.27 EUR
30+	147.31 EUR
54+	146.73 EUR

NXH50C120L2C2ES1G

Description: IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	161.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4

NXH50C120L2C2ES1G

Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 20mW 26-Pin DIP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

NXH50C120L2C2ES1G

Description: IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH50C120L2C2ESG

Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	134.66 EUR
10+	127.71 EUR

NXH50C120L2C2ESG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 20mW 26-Pin DIP Tube

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NXH50C120L2C2ESG

Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH50C120L2C2ESG

IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	163.84 EUR
12+	161.32 EUR

NXH50M65L4C2ESG

Description: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.608 nF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH50M65L4C2SG

Description: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH50M65L4C2SG

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	111.09 EUR

NXH50M65L4C2SG

IGBT Modules 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	111.87 EUR
12+	101.38 EUR
30+	97.87 EUR
54+	94.37 EUR
102+	90.89 EUR
252+	90.01 EUR

NXH50M65L4Q1PTG

Description: 6KW H6.5 50A Q1PACK PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH50M65L4Q1SG

IGBT Modules IGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 50 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	109.08 EUR
10+	102.34 EUR
21+	96.01 EUR
42+	88.63 EUR
504+	88.62 EUR
2520+	88.56 EUR

NXH50M65L4Q1SG

Description: Q1PACK 50A 650V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	109.84 EUR
21+	99.54 EUR

NXH50M65L4Q1SG

IGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 50 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins

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NXH5104ADBUL

EEPROM 4MB EEPROM demo board, SO8-footprint compatible

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	282.5 EUR
10+	246.12 EUR
25+	245.47 EUR
50+	238.87 EUR
100+	212.78 EUR

NXH5104UK/A1SZ

935376972012

Produkt ist nicht verfügbar

NXH5104UK/A1Z

Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

NXH5104UK/A1Z

EEPROM 4 Mbit Serial EEPROM

auf Bestellung 1676 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.74 EUR
10+	9.54 EUR
100+	8.55 EUR
250+	8.54 EUR
500+	7.99 EUR
1000+	7.66 EUR
2000+	7.32 EUR

NXH5104UK/A1Z

NXP

Description: NXP - NXH5104UK/A1Z - EEPROM, 4 Mbit, Seriell SPI, 5 MHz, WLCSP, 13 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -20
Versorgungsspannung, min.: 1
Taktfrequenz: 5
Speicherkonfiguration EEPROM: -
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 13
Produktpalette: 4Mbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 2
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 1054 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH5104UK/A1Z

Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 1651 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.98 EUR
10+	10.02 EUR
25+	9.83 EUR
50+	9.76 EUR
100+	8.76 EUR
250+	8.73 EUR
500+	8.18 EUR
1000+	7.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

NXH5104UK/A1Z

EEPROM Serial-SPI 4M-bit 1.6V 13-Pin WLCSP T/R

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NXH600A100H4F5SNG

onsemi F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER PIN

Produkt ist nicht verfügbar

NXH600B100H4Q2F2S1G

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Flying Capacitor Boost 1000 V, 200 A IGBT, 1200 V, 60 A SiC Diode Solder pins

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	408.8 EUR
10+	382.89 EUR
25+	370.57 EUR

NXH600B100H4Q2F2SG

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 200 A IGBT, 1200 V, 60 A SiC Diode Solder pins

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	425.81 EUR
10+	398.82 EUR
25+	386 EUR

NXH600B100H4Q2F2SG

Description: MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	428.74 EUR
10+	401.56 EUR

NXH600N65L4Q2F2SG

Description: 150KW 1100V Q2PACK SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 41-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 483 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 931 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37.1 nF @ 20 V

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	242.62 EUR
10+	224.59 EUR

NXH75M65L4Q1PTG

Description: 6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	115 EUR
21+	104.23 EUR

NXH75M65L4Q1PTG

IGBT Module, H6.5 Topology

Produkt ist nicht verfügbar

NXH75M65L4Q1PTG

IGBT Modules 6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PIN WITH TCP7000

Produkt ist nicht verfügbar

NXH75M65L4Q1SG

Description: Q1PACK 75A 650V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	120.95 EUR
21+	109.6 EUR

NXH75M65L4Q1SG

IGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 75 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins

Produkt ist nicht verfügbar

NXH75M65L4Q1SG

IGBT Modules Q1PACK 75A 650V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH800A100L4Q2F2P1G

onsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE WITH PRESS-FIT PIN

Produkt ist nicht verfügbar

NXH800A100L4Q2F2P2G

onsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE WITH PRESS-FIT PIN

Produkt ist nicht verfügbar

NXH800A100L4Q2F2S1G

onsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE

Produkt ist nicht verfügbar

NXH800A100L4Q2F2S1G

Description: MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	219.3 EUR
10+	203.01 EUR
36+	195.6 EUR

NXH800A100L4Q2F2S2G

Description: MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	219.3 EUR
10+	203.01 EUR
36+	195.6 EUR

NXH800A100L4Q2F2S2G

onsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE

Produkt ist nicht verfügbar

NXH800H120L7QDSG

NXH800H120L7QDSG

Produkt ist nicht verfügbar

NXH80B120H2Q0SG

Description: ONSEMI - NXH80B120H2Q0SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 40 A, 2.2 V, 103 W, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 40
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: 103
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NXH80B120H2Q0SG

IGBT Modules PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

NXH80B120H2Q0SG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 41A 103mW 20-Pin Case 180AJ Tray

Produkt ist nicht verfügbar

NXH80B120H2Q0SG

Description: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	136.29 EUR

NXH80B120H2Q0SNG

Description: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 103 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.7 nF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH80B120MNQ0SNG

Produkt ist nicht verfügbar

NXH80B120MNQ0SNG

Discrete Semiconductor Modules Full SiC MOSFET Module EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 80 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 20 A SiC Diode Nickel-plated DBC

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	149.64 EUR
10+	138.05 EUR
48+	121.44 EUR
120+	119.45 EUR
264+	117.36 EUR

NXH80T120L2Q0P2G

IGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS

Produkt ist nicht verfügbar

NXH80T120L2Q0P2G

Description: IC MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

NXH80T120L2Q0P2TG

Description: IGBT MODULE 1200V 80A TNPC PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA

auf Bestellung 24 Stücke:

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1+	85.06 EUR
24+	76.03 EUR

NXH80T120L2Q0PG

IGBT Modules 1200V 80AT-TYPE IGBT PWR INTEG MODULE

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Lieferzeit 10-14 Tag (e)

NXH80T120L2Q0PG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 146mW 20-Pin Q0PACK Tray

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NXH80T120L2Q0S1G

IGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE

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NXH80T120L2Q0S2G

auf Bestellung 97 Stücke:

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NXH80T120L2Q0S2G

IGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC STANDARD PINOUT

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NXH80T120L2Q0S2G

Trans IGBT Module N-CH 1200V 67A 158000mW 20-Pin Q0PACK Tray

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NXH80T120L2Q0S2G

Description: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

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NXH80T120L2Q0S2G

Description: PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO

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NXH80T120L2Q0S2TG

Description: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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5+	116.83 EUR

Mindestbestellmenge: 5

NXH80T120L2Q0S2TG

Description: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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NXH80T120L2Q0S2TG

IGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM

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NXH80T120L2Q0SG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 146000mW 20-Pin Q0PACK Tray

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NXH80T120L2Q0SG

IGBT Modules 80A 1200V PIM Q0PACK

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NXH80T120L2Q0SG

Description: IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: T-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.99 nF @ 20 V

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NXH80T120L3Q0P3G

Description: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18150 pF @ 20 V

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NXH80T120L3Q0S3G

IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), T-Type NPC 1200 V, 80 A IGBT, 600 V, 50 A IGBT Solder pins

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 101-105 Tag (e)

1+	131.77 EUR
10+	119.4 EUR
24+	115.3 EUR

NXH80T120L3Q0S3G

Description: ONSEMI - NXH80T120L3Q0S3G - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

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NXH80T120L3Q0S3G

Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A/75A/50A/50A 188W Tray

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NXH80T120L3Q0S3G